• 串行MRAM消耗的能量
• MR25H256是一个串行MRAM，具有使用串行外围设备接口的芯片选择（CS），串行输入（SI），串行输出（SO）和串行时钟（SCK）的四针接口在逻辑上组织为32Kx8的存储器阵列。SPI）总线。串行MRAM实现了当今SPIEEPROM和闪存组件通用的命令子集，从而允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代方案相比，串行MRAM具有卓越的写入速度，无限的耐用性，低待机和运行能力以及更可靠的数据保留。对于MRAM，基于EverspinTechnologies的256kb串行SPIMRAMMR25H256进行评估。表3显示，当使用去耦电容器的所有能...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 串行MRAM,MRAM,非易失性存储器,串行SPI MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-04 14:01:00

• STT结构涡轮增压MRAM
• 新兴MRAM市场的主要参与者之一已经开发了专有技术，该技术表示将通过增加保持力并同时降低电流来增强任何MRAM阵列的性能。自旋转移技术（STT）的进动自旋电流（PSC）结构，它有潜力提高MRAM的密度和零泄漏能力。该结构可以应用于移动，数据中心CPU和存储，汽车，物联网和（IoT）以及人工智能等领域。PSC结构将使任何MRAM器件的自旋扭矩效率提高40％至70％。这意味着它不仅具有更高的数据保留能力，而且将消耗更少的电量。Pinarbasi说，增益转化为保留时间延长了10,000倍以上，因此一小时变成一年以上，但是写入电流却减少了。此外，随着垂直磁隧道结（pMTJ）变小，PSC的效率更高。开...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,STT-MRAM,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-13 14:36:00

• MR10Q010-1Mb四路输出高速串行SPIMRAM
• 1Mb串行MRAM具有四个串行I/O路径，旨在提高读/写速度并减少时钟周期。EverspinTechnologies的具有QuadSPI接口的MR10Q010提供高达104MHz的时钟速度和52MB/s的读/写带宽。MRAM专为需要对数据进行高频写入的应用而设计，可提供与并行I/OMRAM相当的读取/写入带宽。它还允许就地执行（XIP）操作。Everspin代理商宇芯电子可提供技术支持及产品应用解决方案等产品服务。EverspinMRAM这款高性能设备可以以104MHz的速度读取和写入数据，而不会在其他非易失性技术（例如NORFlash）中遇到写入延迟。结合无限的写周期耐久性，MR10Q01...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： 串行SPI MRAM,​1Mb串行MRAM,Everspin MRAM,MR10Q010 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-06 16:36:00

• 什么是STT-MRAM？
• 随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术的领先趋势来增强动力.什么是STT-MRAM？嵌入式存储器IP选项包括STT-MRAM，相变存储器（PCM），电阻RAM（ReRAM）和铁电RAM（FRAM）。每种新兴的内存技术都不同，适合特定的应用，但STT-MRAM似乎已成为主流。STT-MRAM是一种电阻存储技术，其中材料中电子的磁性自旋变化会产生可测量的电阻率变化。从概念上讲，每个单元由两个磁体组成：一个是固定的，另一个是可以翻转的。当磁体...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,MRAM,everspin代理,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-04 17:31:00

• EverspinMRAM通过合作伙伴关系不断发展其生态系统
• Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有600多项有效专利和申请的知识产权，在平面和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面均处于市场领先地位。Everspin代理宇芯电子为客户提供应用解决方案等技术支持。Everspin与GlobalFoundries有合作的历史，并且通过不断地调整配方，在工厂中进行微调制造已有十多年了。能够迅速增加知识并将其转移到GlobalFoundries。在生产中有两种类型的MRAM-触发MRAM和STTMRAM，后者确实需要启用控制器或FPGA。Everspin将继续发展生态...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,Everspin MRAM,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-31 15:03:00

• GlobalFoundries生产eMRAM解决方案
• GlobalFoundries(格罗方德半导体有限公司)今年2月份宣布已在其22FDX平台上为物联网和汽车应用交付了首个可投入生产的eMRAM。并表示其先进的eMRAM为低功耗，非易失性代码和数据存储应用提供了一种经济高效的解决方案。GF表示已进入生产阶段，并计划与多个客户合作，并计划在2020年实现多个生产磁带。GF的eMRAM旨在替代大容量嵌入式NOR闪存（eFLASH）。GF表示其eMRAM已通过了五项严格的实际焊锡回流测试，并在-40°C至125°C的温度范围内显示了100,000个循环的耐久性和10年的数据保留。FDXeMRAM解决方案支持AEC-Q100质量2级设计，并且正在开发...
• 所属专栏： 技术交流 标签： eMRAM,MRAM,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-16 15:00:00

• EverspinMRAM串行SPIMR25H256ACDF
• 总览MR25H256是一个串行MRAM，具有使用串行外围设备接口的芯片选择（CS），串行输入（SI），串行输出（SO）和串行时钟（SCK）的四针接口在逻辑上将存储器阵列组织为32Kx8（SPI）总线。串行MRAM实现了当今SPIEEPROM和闪存组件通用的命令子集，从而允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代方案相比，串行MRAM具有卓越的写入速度，无限的耐用性，低待机和运行能力以及更可靠的数据保留。MR25H256ACDF产品图片特征•无写入延迟•无限的写续航力•数据保留超过20年•断电时自动数据保护•阻止写保护•快速，简单的SPI接口，时...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： Everspin MRAM,串行MRAM,MR25H256ACDF 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-27 14:38:00

• 新型存储器与传统存储器介质特性对比
• 目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM)，其中有以英特尔与美光联合研发的3DXpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器ReRAM，目前暂无商用产品，其代表公司是美国的Crossbar。上述新型存储器已被研究了近数十年，只是相对于早已产业化的随机存储sram、DRAM存储器、和NANDFlash，还未能大规模商用。存储器产业未来的技术发展方向仍是未知数。在非易失性MRAM存储器方面，EverspinMRAM已经有产品应用于航空航天等特定领域，并于2019年开始与格芯合作，试生产28nm制程的1GbST-MRAM产品。...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： MRAM,Everspin,Everspin MRAM,Everspin STT-MRAM 1Gb 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-24 16:21:00

• everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力
• everspin提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）接口，但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样，时序上的差异使得其难以成为DRAM（动态随机存取器）的直接替代品。最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRAM的吸引力，但Everspin仍需努力追赶DRAM的存储密度。低容量的特性，使得MRAM组件更适用于嵌入式系统，其中SoC和ASIC可更容易地设计兼容的DDR控制器。目前行业内已通过MRAM来部分替代DRAM，比如IBM就在去年推出了FlashCore模块，以及希捷在FMS2017上展示的原型。当然我们并不指望mram专用存储设备可以迅速在市面上普及（SS...
• 所属专栏： 技术交流 标签： everspin,MRAM,1Gb MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-02-19 15:38:00

• Everspin串口串行mram演示软件分析
• Everspin在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。包括40nm，28nm及更高工艺在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJST-MRAM生产。生产基于180nm，130nm和90nm工艺技术节点的MRAM产品。下面要介绍关于everspin公司MRAM演示软件分析everspin公司MRAM演示软件分析MRAM低级驱动程序通过操作系统和调度程序集成到动力总成应用程序中。读写周期由系统时钟（300MHz）测量。图1＆2显示了针对动力总成...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin,串口串行mram,串行mram 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-19 17:03:00